应用背景： 在DRAM(Dynamic Random Access Memory) 设备中，信息是储存在MOS (Metal-Oxide -Semiconductor)集成电路板的半导体电容器里。

问题描述：

　　目前随着设备尺寸的不断减小，电容器容量受到了限制。需要寻找一种方法，能在缩小电容器尺寸的同时，提高其电容量。

解决方法：

　　17号创新原理－"一维变多维"是矛盾矩阵推荐的方案之一。如图可以在电容器的两个电极间上按一定的间隔排列一些比电容器尺寸小的多的凹槽和突起。这样就大大增加了电极的表面积，所以电容量会大大增加，而且不会多占用半导体上的空间。